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姓名：馬志斌 職稱：教授 是否碩導(dǎo)：是 是否博導(dǎo)：是 郵箱：mazb@wit.edu.cn 地址：湖北省武漢市武漢工程大學(xué)8188www威尼斯 |
教育及工作經(jīng)歷
2005年-至今：武漢工程大學(xué)8188www威尼斯，材料物理專業(yè)，教授
2001-2005年：武漢化工學(xué)院材料科學(xué)與工程系,湖北省等離子體化學(xué)與新材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,副教授
1998-2001年：中國(guó)科學(xué)院等離子體物理研究所, 等離子體物理, 博士學(xué)位
1994-1998年：武漢化工學(xué)院大學(xué)物理教研室,物理系,助教
1991-1994年：中國(guó)科學(xué)院等離子體物理研究所, 等離子體物理, 碩士學(xué)位
1987-1991年：武漢大學(xué), 物理系, 學(xué)士學(xué)位
研究方向
等離子體技術(shù)在材料科學(xué)與技術(shù)中的應(yīng)用
等離子體技術(shù)與MPCVD金剛石
學(xué)生培養(yǎng)
已培養(yǎng)28名碩士研究生
已指導(dǎo)2名研究生獲得湖北省優(yōu)秀碩士學(xué)位論文獎(jiǎng)
4名學(xué)生獲得國(guó)家獎(jiǎng)學(xué)金
科研項(xiàng)目
（1）國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目，高氣壓微波等離子體中電場(chǎng)的測(cè)量與調(diào)控及其對(duì)單晶金剛石生長(zhǎng)的影響，在研，主持
（2）中國(guó)電子科技集團(tuán)公司創(chuàng)新基金項(xiàng)目，MPCVD同質(zhì)外延生長(zhǎng)單晶金剛石的研究，已結(jié)題，主持。
（3）國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目，回旋離子束及其與CVD金剛石膜表面作用機(jī)理研究，已結(jié)題，主持。
榮譽(yù)獲獎(jiǎng)
2013年：湖北省高等學(xué)校教學(xué)成果獎(jiǎng) 三等獎(jiǎng)
2011年：湖北省學(xué)位與研究生教育管理工作先進(jìn)個(gè)人
2011年：中國(guó)化工教育科學(xué)研究成果獎(jiǎng) 三等獎(jiǎng)
2007年：杭州市科技進(jìn)步獎(jiǎng) 三等獎(jiǎng)
2007年：武漢工程大學(xué)教學(xué)成果一等獎(jiǎng)
2004年：武漢化工學(xué)院教學(xué)成果一等獎(jiǎng)
代表性成果
論文(2015年至今)
(1)耿傳文，夏禹豪，趙洪陽(yáng)，付秋明，馬志斌*,單晶金剛石邊緣表面傾斜角度對(duì)同質(zhì)外延生長(zhǎng)的影響,物理學(xué)報(bào), 2018.10, 67(24): 248101
(2)嚴(yán)壘,陳林,付秋明,吳超,高攀,馬志斌*, MPCVD法同質(zhì)外延生長(zhǎng)單晶金剛石,新型炭材料, 2017.2.15, (01): 92~96
(3)丁康俊, 黃宏偉, 宋修曦, 任昱霖, 馬志斌*，MPCVD中雙基片結(jié)構(gòu)對(duì)等離子體的影響研究, 真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào), 2017.5.15, (05): 488~493
(4)Zhibin Ma, Chao Wu, JianhuaWang, Hongyang Zhao, Lei Zhang; Qiuming Fu*, Chuanxin Wang, Development of aplate-to-plate MPCVD reactor configuration for diamond synthesis, Diamond &Related Materials, 2016.4.23, 66: 135~140
(5)Zhibin Ma, Jun Wu, BisongTan, Wulin Shen, Xin Pan, Jianhua Wang*, Influence of Working Pressure on IonSensitive Probe Measurement in Microwave ECR Plasmas, Plasma Science andTechnology, 2015.4, 17(4): 294~297
(6)曹為,陶利平,高攀,李易成,付秋明,馬志斌*，氦氣對(duì)MPCVD沉積金剛石的影響,光譜學(xué)與光譜分析, 2015.3,35(3): 711~714
專利及軟件著作權(quán)
發(fā)明專利：
(1)一種利用微波等離子體化學(xué)氣相沉積制備α相碳化鉬晶體的方法，（趙洪陽(yáng)，馬志斌，蔡康，高攀，ZL201610389645.8.）
(2)一種利用MPCVD制備碳化鉬晶體時(shí)鉬的引入方法，（馬志斌，丁康俊，高攀，趙洪陽(yáng)，宋修曦，ZL201610390376.7.）
(3)一種摻Fe金屬有機(jī)框架晶體及其制備方法，（趙洪陽(yáng)，黃志登，蔡康，馬志斌，楊旻朗，ZL2015110246568）
(4)一種提高金剛石生長(zhǎng)過(guò)程中二次形核的方法(馬志斌,李艷春,耿傳文,夏禹豪,李方輝,衡凡, CN201810265260.X)
(5)一種利用掩膜法制備帶自支撐框架的金剛石真空窗口的方法(馬志斌,任昱霖,CN201610803733.8)
(6)CVD單晶金剛石的二維擴(kuò)大方法(馬志斌,吳超,黃宏偉,張?zhí)锾?宋修曦,CN201610398798.9)
圖書專著
2014年，《等離子體技術(shù)與應(yīng)用實(shí)驗(yàn)教程》，化學(xué)工業(yè)出版社
